Elementi polprevodniške elektronike (EPE)
Predavatelj: prof. dr. Marko Topič
Vsebina • Literatura • Laboratorijske vaje • Izpitni roki • Stari izpiti
Vsebina
Predmet podaja temeljna znanja s področja elementov polprevodniške elektronike, ki so osnova za inženirje elektrotehnike. Predmet sestavljajo teoretične osnove, ki so navezane na praktična znanja iz prakse. Snov predstavlja zaključeno celoto s področja elektronskih elementov in predstavlja podlago za strokovne predmete v višjih letnikih študija elektronike.
Polprevodniški materiali in njihove lastnosti. Električne lastnosti homogenih (nedopiranih in dopiranih) polprevodnikov.
Polprevodniški pn spoj in diode. Analiza elektrostatičnih razmer, tokovno-napetostna karakteristika idealnega in realnega pn spoja, režimi delovanja, malosignalna analiza z linearizacijo dvopolov, velikosignalna analiza, frekvenčna odvisnost. Prebojne diode. Močnostne diode. Bipolarni tranzistorji. Analiza elektrostatičnih razmer, tokovno-napetostne karakteristike idealnih in realnih bipolarnih tranzistorjev, orientacije in režimi delovanja, malosignalna analiza z linearizacijo, velikosignalna analiza, frekvenčna odvisnost. Ojačevalne stopnje.
Unipolarni tranzistorji, FET s pn-spojem in MOS tranzistor. Analiza elektrostatskih razmer, tokovno-napetostne karakteristike idealnih in realnih tranzistorjev, orientacije in režimi delovanja, malosignalna analiza z linearizacijo četveropolov, velikosignalna analiza, frekvenčna odvisnost. Ojačevalne stopnje. CMOS invertor.
Zgradbe in delovanje močnostnih polprevodniških elementov: pnpn dioda, diac, tiristor, triak, IGBT.
Zgradbe in delovanje optoelektronskih elementov: svetleče diode, laserske diode, optospojniki. Detektorji svetlobe. Senzorji fizikalnih veličin. Sončne celice in fotonapetostni moduli. Zaščitni elementi.
Literatura
- Smole F. in M. Topič: Elementi polprevodniške elektronike, Založba FE in FRI, (ISBN: 961-243-020-9) 2005.
- Neamen, Donald A., Semiconductor Device Fundamentals, McGraw-Hill Education (ISBN: 0071116273) 2005.
- Pierret, Robert F., Semiconductor Device Fundamentals, Pearson Education Limited (ISBN: 0131784595) 1996.
- List z enačbami
Laboratorijske vaje
Vaje potekajo v laboratoriju LPE (kletni prosotri B stavbe).
Delovno gradivo je na voljo v skriptarnici.
Več informacij je na voljo s spletni učilnici.
Izpitni roki
Termini in prijave na izpit
Pisni in ustni roki so razpisani v STUDIS-u, kjer se je potrebno tudi prijaviti. Če imate težave pri prijavi, se obrnite na Študentsko pisarno.
- Pogoj za pisni izpit: Opravljene vse laboratorijske vaje
- Pogoj za ustni izpit: Pozitivno ocenjen pisni izpit (vsaj 50 od 100 točk)
Dovoljeni pripomočki na pisnem izpitu
- Uradni A4 list z enačbami (glej zgoraj).
- Namenski kalkulator (mobilni telefoni in tablice niso dovoljeni)
Stari izpiti
Primeri nalog iz starih kolokvijev in izpitov.
- 1. kolokvij, 06. 12. 2000 (pdf)
- 1. kolokvij, 26. 11. 2001 (pdf)
- 1. kolokvij, 20. 11. 2002 (pdf)
- 1. kolokvij, 26. 11. 2003 (pdf)
- 1. kolokvij, 29. 11. 2004 (pdf)
- 1. kolokvij, 24. 11. 2005 (pdf)
- 1. kolokvij, 27. 11. 2006 (pdf)
- 1. kolokvij, 02. 12. 2008 (pdf)
- 1. kolokvij, 23. 11. 2010 (pdf)
- 1. kolokvij, 07. 12. 2017 (pdf)
- 2. kolokvij, 12. 01. 2001 (pdf)
- 2. kolokvij, 11. 01. 2002 (pdf)
- 2. kolokvij, 16. 01. 2003 (pdf)
- 2. kolokvij, 15. 01. 2004 (pdf)
- 2. kolokvij, 13. 01. 2005 (pdf)
- 2. kolokvij, 12. 01. 2006 (pdf)
- 2. kolokvij, 11. 01. 2007 (pdf)
- 2. kolokvij, 15. 01. 2018 (pdf)
- izpitni rok, 6. 4. 2001 (pdf)
- izpitni rok, 3. 5. 2006 (pdf)
- izpitni rok, 19. 6. 2006 (pdf)
- izpitni rok, 6. 9. 2013 (pdf)
- izpitni rok, 6. 2. 2014 (pdf)
- izpitni rok, 30. 1. 2015 (pdf)
- izpitni rok, 1. 2. 2016 (pdf)
- izpitni rok, 30. 1. 2017 (pdf)
- izpitni rok, 26. 1. 2018 (pdf)
- izpitni rok, 26. 8. 2019 (pdf)
- izpitni rok, 17. 6. 2020 (pdf)